射頻功放調(diào)試的步驟一般是由以下幾步構成：
STEP 1 確定芯片是否損壞
這一步主要是確定板子和管子的基本狀態(tài)是否正常，首先利用萬用表測量一下功放柵極對地、漏極對地的電阻是否正常，確定管子是否損壞；再檢查一下電路板的狀態(tài)，有無虛焊，短路，裝配功放管時接地是否做到最好等等。
STEP 2 上電測量
上電，測量漏極電壓與柵極電壓是否加上，調(diào)整漏極電壓與柵極電壓的值，觀察靜態(tài)電流是否正常（有沒有過大或者過小或者出現(xiàn)異常的跳變）。
上電時要注意管子的上電順序（GaN功放管先柵極再漏極，斷電順序則相反；LDMOS功放管無特殊要求），并且上電時輸出端與輸入端要連接儀器或者匹配負載。
STEP 3 小信號測量
對矢網(wǎng)進行校準后，將功放輸入端接矢網(wǎng)port 1，輸出端接衰減器后再接入port 2（設置衰減器補償），給功放加電，觀察S11和S21是否滿足設計需求，一般功放要求S11在工作頻段內(nèi)低于-10dB，由于矢網(wǎng)可以顯示出Smith圓圖，因此可以通過理論計算與實際調(diào)試，使功放輸入駐波達到要求。
S21約為設計增益值，且保證帶內(nèi)較為平坦，一般要求增益的最高點落在工作頻帶中間的范圍。再看S21時一定要將顯示頻率范圍盡可能打?qū)挘鬝21曲線有異常的尖峰，則可能引起功放自激。在此過程中需對電路進行微調(diào)（貼銅箔、割補微帶、替換元件值等），直至滿足要求。
STEP 4 大信號測量
功放輸出端接衰減器后接入頻譜儀，設置正確補償值（只補償功放后端的線衰和衰減器的衰減）。
將信號源初始輸入功率設為很小的值（-20dBm左右），逐漸增大，觀察輸出功率增大情況以及電流增大情況，直至飽和點（一般為1dB壓縮點）。觀察頻譜儀，記錄各次頻譜及漏極電流，收集數(shù)據(jù)，計算飽和輸出功率、增益、諧波和效率等指標。
STEP 5 線性度測量
信號源給出調(diào)試信號，頻譜儀調(diào)整至IQ星座圖分析模式，根據(jù)相關指標觀察功放的線性度指標。
若線性度指標不足，盡量調(diào)整匹配電容，同時結合調(diào)整功放的靜態(tài)電流。
STEP 6 多塊板一致性驗證
裝配相同的板子，確保PCB板參數(shù)一致的情況下性能也能保持一致
STEP 7 高低溫試驗
對功放板單板進行高低溫試驗。主要觀察其在高低溫的情況下會不會出現(xiàn)工作性能的惡化，以及會不會出現(xiàn)自激等故障的現(xiàn)象。
當高低溫試驗中，功放性能變化較大時，需要對溫度補償電路進行調(diào)整；對于高低溫試驗中的故障現(xiàn)象，盡可能在常溫環(huán)境中復現(xiàn)然后進行解決。
補充：
1、除了常規(guī)指標，對于功放單板來說還有必要去測量其開短路保護性能、溫度補償與過溫保護性能、連續(xù)發(fā)射能力、失配負載狀態(tài)下功率輸出能力等指標
2、電容調(diào)試棒調(diào)試、射頻電纜點測法等等會更好地有助于提高定位問題和調(diào)試的效率，平常需要準備些響應的材料
3、功放單板調(diào)試完并不能代表高枕無憂，加到整機系統(tǒng)中聯(lián)調(diào)后，可能也會出現(xiàn)諸如瞬態(tài)響應等問題，此時需要具體問題具體分析。
調(diào)試過程中常見問題
問題1：漏極無電流
解決方法：
1、檢查電源線連接；
2、饋電電路焊接問題；
3、濾波問題；
4、是否因為操作不當，已經(jīng)導致功放管損壞。
問題2：漏極電流過大
解決方法：
1、電路是否穩(wěn)定；
2、檢查是否存在短路（注意錫渣）；
3、板子是否遭到破壞；
4、是否因為操作不當，已經(jīng)導致功放管損壞。
問題3：S參數(shù)不理想
解決方法：
1、由于兩路不完全平衡，進行相位補償?？梢圆捎谜{(diào)試電容棒，在兩路分別進行調(diào)測。電容棒本身具有兩腳，并且和電路接觸面積與實際電容的接觸面積不同等原因，會存在一定容值偏差所以實際焊接時使用調(diào)試值附近的容值進行微調(diào)；
2、匹配不夠，由于功放管最佳輸入輸出阻抗帶有虛部，而巴倫結構只能變換實部，故需要進行一定的虛部的抵消。
問題4：效率低
解決方法：
1、小信號重新調(diào)試
2、注意散熱是否可靠，若散熱不夠不能長時間連續(xù)進行大功率信號發(fā)射。
問題5：功放自激
解決方法：
1、接地不良好，可以采取增加接地面積或與外殼之間的連接；
2、供給的直流電源濾波不夠，造成了其不夠干凈，此時需要再增加濾波措施；
3、射頻信號耦合到了直流電壓上，可以在低頻線上套磁環(huán)，低頻線和射頻線盡量遠離或改變它們的走向；
4、各個放大器之間在某些頻率點上失配嚴重，導致了射頻信號的來回反射，這種情況就需要對電路進行重新調(diào)整或適當增加匹配之間的隔離。
5、散熱不良，隨著溫度的升高，功放管的內(nèi)部性能變差造成不穩(wěn)定。這種情況需要加強散熱
6、寄生參數(shù)原因造成的功放自激，比如蓋上整機外殼之后因為引入寄生參數(shù)導致的自激。這種情況需要重新考慮輸入輸出電路的形式，避免在引入寄生參數(shù)以后特性發(fā)生嚴重變形
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