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  • 電路設(shè)計(jì),MOS管電容近似計(jì)算方法介紹
    • 發(fā)布時(shí)間:2023-05-30 16:28:32
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    電路設(shè)計(jì),MOS管電容近似計(jì)算方法介紹
    MOS管
    Cox的理論計(jì)算方式
    在電路設(shè)計(jì)零極點(diǎn)計(jì)算中,我們經(jīng)常需要對(duì)MOS管的柵電容進(jìn)行理論估算,柵電容Cgg=Cox*W*L,W和L我們可以直接從器件參數(shù)得到,接下來(lái)我們需要知道MOS管的Cox具體值。
    Cox計(jì)算方式
    概念:
    (1)介電常數(shù):
    它是表示絕緣能力特性的一個(gè)系數(shù),符號(hào)為ε,單位為F/m(法/米)
    (2)相對(duì)介電常數(shù):
    某種電介質(zhì)的介電常數(shù)ε與真空介電常數(shù)ε0的比值,稱為該電介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù),符號(hào)為εr,即εr=ε/ε0,εr是無(wú)量綱的純數(shù);
    其中真空介電常數(shù)ε0=8.854E-12F/m(記住),SIO2的相對(duì)介電常數(shù)為εr=3.9(記?。許IO2的介電常數(shù)ε=εr*ε0=3.9×8.854E-12F/m(記?。?/div>
    (3)Cox計(jì)算
    Cox是介質(zhì)的介電常數(shù)ε與tox的比值,tox可以在工藝model文件(.scs文件)中找到,以HHG90工藝為例:
    在model文件中可以查到NCH5的toxn=1.15E-08m,PCH5的toxp=1.14E-08m,SIO2的介電常數(shù)ε=3.9×8.854E-12F/m,
    Coxn=ε/toxn=3fF/um2;
    Coxp=ε/toxp=3.02fF/um2
    可見(jiàn)PCH5的Cox比NCH5略大,數(shù)值幾乎一致,可按照3fF/um2進(jìn)行電容計(jì)算
    比如:W/L=100u:0.65u,m=200的PCH5,柵電容近似計(jì)算為:39pF
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