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SiC MOSFET輸出短路保護(hù)電路設(shè)計介紹SiC MOSFET具有輸入阻抗高、高頻性能好、單個驅(qū)動功率小和無需并聯(lián)均流控制等顯著優(yōu)勢。隨著 SiC M
SiC MOSFET RC吸收電路設(shè)計,參數(shù)計算介紹本文提出了一種 SiC MOSFET 的漏源極之間充放電型 RC吸收電路參數(shù)的計算方法。首先根據(jù)波形
SiC MOSFET短路保護(hù)理解解析SiC MOSFET短路保護(hù)1、SiC MOSFET的晶元面積小于IGBT晶元面積,短路時候散熱能力不及IGBT。2、IGBT短路后能
MOSFET驅(qū)動器電路配置圖文介紹MOSFET驅(qū)動器柵極驅(qū)動典型配置使用MOSFET驅(qū)動器時可以采用許多不同的電路配置。很多時候,由于高的峰值電流、
MOSFET驅(qū)動器的功率損耗三個公式介紹MOSFET驅(qū)動器的功耗對MOSFET的柵極進(jìn)行充電和放電需要同樣的能量,無論充放電過程快或慢(柵極電壓的上
電路設(shè)計,MOSFET內(nèi)部二極管應(yīng)用逆變器介紹MOSFET體內(nèi)二極管MOSFET中用內(nèi)部二極管,保護(hù)器件免受因連接的電感性負(fù)載,產(chǎn)生的反向EMF尖峰的影
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MOSFET的開關(guān)及其溫度特性介紹關(guān)于MOSFET的開關(guān)時間柵極電壓ON OFF之后,MOSFET才ON OFF。這個延遲時間為開關(guān)時間。開關(guān)時間如表1所示種類
電機(jī)PWM驅(qū)動,MOSFET寄生二極管功耗介紹本文分析一下使用有刷直流電機(jī)驅(qū)動器IC進(jìn)行PWM驅(qū)動時,通過輸出MOSFET的寄生二極管進(jìn)行電流再生時的
MOSFET的截止頻率計算介紹MOSFET的截止頻率定義在MOS源極和漏極接交流地時,器件的小信號電流增益降至1的頻率稱為:transit frequency(fT)
MOS管各種泄漏電流的原因解析MOS 晶體管正在按比例縮小,以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化層厚度的減少,進(jìn)而降低了
MOS管理想的開關(guān)特性,實用開關(guān)特性介紹電子開關(guān)半導(dǎo)體開關(guān)是電子電路中的重要方面之一。像 BJT 或mos管 之類的半導(dǎo)體器件通常作為開關(guān)操