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MOS管熱阻,輸入輸出電容,開(kāi)關(guān)時(shí)間解析打開(kāi)一個(gè)MOS管的SPEC,會(huì)有很多電氣參數(shù),本文分析一下熱阻、電容和開(kāi)關(guān)時(shí)間。熱阻,英文Thermal res
PMOS設(shè)計(jì)反向電壓保護(hù)電路,原理介紹直流系統(tǒng)中,比如汽車電子設(shè)計(jì)中,當(dāng)電池接反時(shí),使用電池作為電源的電路可能會(huì)損壞,所以一般需要反向
通過(guò)雙脈沖測(cè)試確認(rèn)MOSFET損耗解析MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性與橋式電路損耗的關(guān)系在逆變器電路和Totem Pole型功率因數(shù)改善(PFC)電路
LED電路,利用MOSFET提升效率降低噪聲介紹LED照明電路(臨界模式PFC+DC DC):利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例下面的電路摘自實(shí)際LED照
開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試在電源調(diào)試中的重要作用介紹MOSFET IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)。開(kāi)關(guān)電源(SMPS)技術(shù)依托電源半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)設(shè)
開(kāi)關(guān)損耗測(cè)量中需要注意的問(wèn)題分析開(kāi)關(guān)損耗測(cè)量中應(yīng)考慮哪些問(wèn)題在實(shí)際的測(cè)量評(píng)估中,我們用一個(gè)通道測(cè)量電壓,另一個(gè)通道測(cè)量電流,然后軟
驅(qū)動(dòng)電路中的誤開(kāi)通介紹驅(qū)動(dòng)電路中的誤開(kāi)通功率器件如 MOSFET、IGBT 可以看作是一個(gè)受門(mén)極電壓控制的開(kāi)關(guān)。當(dāng)門(mén)極電壓大于開(kāi)通閾值時(shí),功
驅(qū)動(dòng)電路中的誤開(kāi)通怎么避免避免驅(qū)動(dòng)誤開(kāi)通的方法門(mén)極電阻、電容法為了避免功率管的誤開(kāi)通,常用的方法是通過(guò)調(diào)整門(mén)極驅(qū)動(dòng)的電阻和電容,如
SiC MOSFET橋臂串?dāng)_問(wèn)題,誤開(kāi)通詳解相較于傳統(tǒng)的Si功率器件,SiC MOSFET具有更小的導(dǎo)通電阻,更快的開(kāi)關(guān)速度,使得系統(tǒng)損耗大幅降低,效
MOS管驅(qū)動(dòng)電路功率損耗怎么計(jì)算在一些大電流的MOS管應(yīng)用電路中,功耗越大,意味著發(fā)熱越多,器件溫升就越高,這對(duì)于電路的穩(wěn)定工作而言是個(gè)
小功率電源MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)圖文介紹MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)對(duì)于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單,只需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg即可對(duì)
SiC MOSFET尖峰產(chǎn)生原因與抑制介紹SiC MOSFET DS電壓尖峰產(chǎn)生原因在半橋電路中,針對(duì)MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制方法之一就是增加緩沖