一、原理介紹
如上圖MOS管符號，要注意如果剛學完三極再來看這個會覺得很別扭，記不住，下面與NMOS原理做介紹，PMOS就剛好是相反的。
上圖NMOS管是壓控型器件，VGS電壓大于開啟電壓時，內(nèi)部溝道在場強的作用下導通，Vgs電壓小于開啟電壓時，內(nèi)部溝道截止;
Vgs電壓越高，內(nèi)部場強越大，導通程度越高，導通電阻Ron越小,注意，Vgs電壓不能超過芯片允許的極限電壓;NMOS管一般作為低端驅(qū)動器件，源級S接地。
例如：IRLML2502TRPBF 開啟電壓在0.6V ~ 1.2V,但是在4.5V的時候才飽和導通，所以在驅(qū)動的時候3.3V的CPU，IO可直接驅(qū)動就有可能出現(xiàn)問題。
2、（保護）寄生二極管
使用時，要特別注意內(nèi)部保護二極管。例如，電源接反時，源級S接到了電源正極，此時通過內(nèi)部寄生二極管導通，如果電源輸入沒有反接保護，NOMS管有可能燒毀。
2、輸入輸出電容
使用時，要特別注意GS管腳的等效電容Cgs，控制NMOS管的導通與截止，本質(zhì)上是控制Cgs電容的充放電（但這個電容一般比較?。?；
如果要求NMOS快速導通與截止（高頻時影響較大，IRLML2502TRPBF的，VGS電容為740PF），此時需要驅(qū)動源能夠提供足夠大的驅(qū)動電流，以提供Cgs電容的瞬間充放電；
如果僅僅作為開關使用，可以串電阻，此時，對驅(qū)動源的要求就不高，單片機的IO口(推挽輸出時，可以提供20mA的驅(qū)動電流)可以直接驅(qū)動。
三、選型
1、常用NMOS型號: SI2312、BSS138、BSH103、XXW50N03、XXW3410L、XXW100N06、XXW30N03、XXW10N65、XXW7N65、IRLML2502等，型號很多，可以根據(jù)需求合理選擇；
2、選型依據(jù)
①、Ids電流，導通電阻Ron越小，允許的Ids越大；
②、開關速率，詳看手冊的打開、保持、關閉時間；
③、Vgs開啟電壓，驅(qū)動電壓，極限電壓；
④、Vds極限電壓；
⑤、封裝尺寸；
四、常用實例
1、單片機內(nèi)部IO口
推挽輸出電路
PMOS低電平導通，NMOS低電平截止 輸出高電平
PMOS高電平截止，NMOS高電平導通，輸出低電平
開漏輸出電路
開漏輸出一般應用在I2C、SMBUS 通訊等需要“線與”功能的總線電路中。除此之外，還用在電平不匹配的場合，如需要輸出5 伏的高電平，就可以在外部接一個上拉電阻，上拉電源為5 伏，并且把GPIO 設置為開漏模式，當輸出高阻態(tài)時，由上拉電阻和電源向外輸出5 伏的電平，只要電流夠，就可以驅(qū)動繼電器等。
2、IC內(nèi)部集成電路
上圖 CD4001 IC內(nèi)部電路介紹一下，左側(cè)的其實就是推挽輸出電路對吧，其實也就是一個反向器，對應符號右側(cè)的兩個符號，那么上圖8-2推挽輸出電路和此電路是一樣的就可以認為：反向的反向就是同向輸出邏輯器件了，這也是非常常用的邏輯電路，另外所有輸入均采用CMOS保護網(wǎng)絡 管腳對電源和對地加二極管保護。
另外：看一下上圖SRAM的電路，也都是MOS管組成的，反向器，鎖存器，存儲1位數(shù)據(jù)，原理都是一樣P1,P2,N1,N2,就是下面的兩個交叉的推挽輸出電路,等效兩個相互連接的反向器。
4、防反接電路
設計說明：上圖我就自手繪涂抹了一下（兼職美工）。
1、巧妙利用內(nèi)部（寄生）保護二極管。上電時，VIN上正下負，通過內(nèi)部保護二極管，Vgs電壓大于Vth電壓，NMOS管完全導通；
2、R11，R12:電阻分壓，調(diào)整Vgs電壓，Vgs電壓盡量大，這樣，Ron越小，壓降越小，損耗越低；設輸入12V,控制VGS電壓：5V~6V，那么R11:5.6K R12:5.1K,可以正常導通。
3、穩(wěn)壓二極管，防止Vgs電壓超過極限電壓，選型時參照NMOS器件數(shù)據(jù)手冊啟動電壓選擇,5.1V,或12V的穩(wěn)壓管。
4、當電源接反時，下正上負，NMOS不導通，有效保護后級電路。
5、學以致用，上圖所示為PMOS管的防反接電路，原理相同的，就不再介紹。
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