提高晶體管開(kāi)關(guān)速度的方法可以通過(guò)減少晶體管的輸入電容來(lái)提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度，這可以通過(guò)減少晶體管的輸入電容的大小來(lái)實(shí)現(xiàn)，從而減少晶體管的輸入電容對(duì)輸入信號(hào)的衰減，從而提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度。另外，還可以通過(guò)提高晶體管的漏極電流來(lái)提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度，這可以通過(guò)提高晶體管的漏極電流來(lái)實(shí)現(xiàn)，從而提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度。
今天我們來(lái)介紹提高晶體管開(kāi)關(guān)速度的三種方法
1、使用加速電容
在基極限流電阻并聯(lián)小容量的電容（一般pF級(jí)別），當(dāng)輸入信號(hào)上升、下降時(shí)候能夠使限流電阻瞬間被旁路并提供基極電流，所以在晶體管由導(dǎo)通狀態(tài)變化到截止?fàn)顟B(tài)時(shí)能夠迅速?gòu)幕鶚O抽取電子（因?yàn)殡娮颖慌月罚?，消除開(kāi)關(guān)時(shí)間的滯后，這個(gè)電容的作用的提高開(kāi)關(guān)速度。
2、使用肖特基箝位
利用肖特基箝位也是提高晶體管開(kāi)關(guān)速度的另外一種方法，我們熟悉的74LS、74ALS、74AS等典型的數(shù)字IC TTL的內(nèi)部電路中也是采用這種技術(shù)。
3、選擇合適的晶體三極管參數(shù)
選用晶體三極管反射結(jié)電容CBE較小的管子可以加快發(fā)射結(jié)電容的充電過(guò)程，發(fā)射結(jié)的正向偏置電壓快速建立，進(jìn)而可以縮短延遲時(shí)間td；選用放大倍數(shù)大的管子可以縮短基區(qū)載流子積累需要的時(shí)間，進(jìn)而縮短管壓降下降時(shí)間tr。
如下圖，肖特基箝位在基極-集電極之間，這種二極管開(kāi)關(guān)速度快，正向壓降比PN結(jié)小，準(zhǔn)確來(lái)說(shuō)叫做肖特基勢(shì)壘二極管。
由于肖特基二極管的正向壓降比晶體管的Vbe小，因此，本來(lái)應(yīng)該流過(guò)晶體管的大部分基極電流通過(guò)D1被旁路掉了，這時(shí)候流過(guò)晶體管的基極電流非常小，所以可以認(rèn)為這時(shí)晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)很接近截止?fàn)顟B(tài)。
肖特基箝位可以看做是改變晶體管的工作點(diǎn)，減小電荷存儲(chǔ)效應(yīng)的影響，提高開(kāi)關(guān)速度的方法
影響晶體管開(kāi)關(guān)速度的因素
影響晶體管開(kāi)關(guān)速度的因素主要有：
1）晶體管的類(lèi)型：不同類(lèi)型的晶體管具有不同的開(kāi)關(guān)速度，例如BJT晶體管的開(kāi)關(guān)速度比MOSFET晶體管的開(kāi)關(guān)速度要慢；
2）晶體管的電流和電壓：晶體管的電流和電壓越大，晶體管的開(kāi)關(guān)速度越快；
3）晶體管的外部電路：晶體管的外部電路越復(fù)雜，晶體管的開(kāi)關(guān)速度越慢；
4）晶體管的溫度：晶體管的溫度越高，晶體管的開(kāi)關(guān)速度越慢；
5）晶體管的封裝類(lèi)型：晶體管的封裝類(lèi)型越復(fù)雜，晶體管的開(kāi)關(guān)速度越慢。
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